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臺積電3nm工藝計劃每平方毫米集成2.5億晶體管 2022年大規模量產
2020-04-20

     4月20日消息,據國外媒體報道,在芯片工藝方面走在行業前列的代工商臺積電,已順利大規模量產5nm工藝,良品率也比較可觀。

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  在5nm工藝量產之后,臺積電工藝研發的重點就將是3nm和更先進的工藝。對于3nm工藝,外媒的報道顯示,臺積電是計劃每平方毫米集成2.5億個晶體管。

  臺積電在3nm工藝方面已研發多年,多年前就在開始籌備量產事宜。臺積電創始人張忠謀在2017年的10月份,也就是在他退休前8個月的一次采訪中,曾談到3nm工廠,當時他透露采用3nm工藝的芯片制造工廠計劃在2022年建成,保守估計建成時可能會花費150億美元,最終可能會達到200億美元。

  而在去年10月份的報道中,外媒表示臺積電生產3nm芯片的工廠已經開始建設,工廠占地50到80公頃,預計花費195億美元。

  在4月16日的一季度財報分析師電話會議上,臺積電副董事長兼CEO魏哲家也曾談到3nm工藝,他表示3nm工藝的研發正在按計劃推進,計劃2021年風險試產,他們的目標是在2022年下半年大規模量產。

  魏哲家在會上還透露,3nm是他們在5nm之后在芯片工藝上的一個完整的技術跨越,同第一代的5nm工藝(N5)相比,第一代的3nm工藝(N3)的晶體管密度將提升約70%,速度提升10%到15%,芯片的性能提升25%到30%,3nm工藝將進一步夯實他們未來在芯片工藝方面的領導地位。

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